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Carbon_C

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材料
化學成分C
原子量12.0107
原子序數6
純度3N5-5N
顏色/外觀黑色/非金屬
導熱性140 W/m.K
熔點 (°C)~3,652
熱膨脹序數7.1 x 10-6/K
理論密度 (g/cc)2.25
Z 比率3.26
濺射等離子體沉積室 
最大功率密度*                                        (瓦/平方英寸 )80
背板連接


濺射是薄膜沉積的制造過程,是半導體,磁盤驅動器,光盤和光學器件行業的核心。

對于電子層面, 濺射是指由高能粒子沖擊靶材而將原子從靶材或源材料上噴射出來,沉積在基板(如硅晶片、太陽能電池板或光學器件)的過程。濺射過程開始前,將要鍍膜的基板放置在含有惰性氣體(通常是氬氣)的真空室中,在靶源上施加負電荷,然后靶源沉積到基板,引起等離子體發光。

濺射率因沖擊粒子的能量、入射角度、粒子和靶原子的相對質量、靶原子的表面結合能的不同而變化。物理氣體沉積的幾種不同方法被廣泛的應用于濺射鍍膜機,包括離子束、離子輔助濺射、氧氣環境下反應濺射、氣流和磁電管濺射。

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